在半导体晶圆制造过程中，化学机械抛光（CMP）工艺扮演着至关重要的角色，其目的是实现晶圆表面的全局平坦化。张工，一位在国内某知名Fab厂拥有6年工作经验的资深工程师，分享了关于CMP工艺面试的关键知识点。
CMP工艺融合了化学腐蚀和机械磨削两种作用，通过抛光垫和浆料在晶圆表面施加的机械力，结合浆料中的化学成分与晶圆材料的化学反应，有效去除材料并实现表面平坦化。CMP的关键步骤涉及抛光垫与晶圆的接触、浆料的供应，以及实时的终点检测，以监控材料去除情况并确保达到预定的抛光终点。
在CMP过程中，化学作用主要体现在浆料中的化学成分与晶圆材料发生反应，形成易于去除的表面层；而机械作用则是通过抛光垫施加的压力和浆料中的磨料颗粒，物理去除已经软化的材料。这两者的协同作用是CMP工艺成功的关键。
了解CMP工艺的基本原理、化学与机械作用的相互关系，以及关键工艺步骤，对于面试者来说至关重要。掌握这些知识点不仅有助于在面试中表现出专业性，也为未来在半导体制造领域的CMP工艺工作中打下坚实的基础。
