光刻是半导体制造中的关键工艺，其流程涉及多个步骤，包括涂胶、软烘、对准、曝光、显影和硬烘。在这一过程中，光刻胶被均匀涂覆在晶圆表面，随后通过曝光和显影步骤形成电路图案。

关键尺寸（CD）是衡量半导体器件或线条最小可控制尺寸的指标，对芯片性能和产量具有直接影响。光刻过程中使用的光源波长范围，即光谱范围，通常包括紫外光（G线、i线）和深紫外光（KrF、ArF），波长的选择对工艺的分辨率有重要作用。

分辨率是光刻工艺能够区分的最小特征尺寸，主要受光源波长和镜头的数值孔径（NA）影响。根据瑞利准则，分辨率可通过公式 \( R = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA} \) 计算，其中 \( \lambda \) 代表光源波长，NA代表物镜的数值孔径，\( k_1 \) 为光刻工艺因子。

这些基础知识对于理解光刻工艺至关重要，它们不仅关系到工艺的精度和芯片的质量，也是半导体技术持续进步的基石。随着技术的发展，光刻工艺正朝着更高分辨率和更小CD的方向发展，以满足日益增长的集成电路密度需求。