美国芯片法案面临挑战,重大投资项目遭遇推迟
来源:ictimes 发布时间:2024-08-14 分享至微信

美国拜登政府的《通胀削减法案》(IRA)和《芯片法案》原计划通过逾4000亿美元的税收抵免、贷款和补助金促进国内清洁技术和半导体供应链发展,却在实施首年遭遇重挫。据调查,宣布的制造业项目投资中,价值840亿美元的项目已被推迟或搁置,占比高达40%。


企业界将此现象归咎于市场状况恶化、需求放缓,以及因选举年带来的政策不确定性。这些延误不仅影响了工业转型和就业机会,也对拜登政府的计划提出了质疑。尽管总统经济发展和产业战略特别助理亚历克斯·雅克斯强调政府在促进建筑业和制造业发展方面的“新成功”,并承诺清除相关障碍,但项目启动和推进仍面临困境。


受影响的主要项目包括Enel在俄克拉荷马州的太阳能电池板工厂、LG Energy Solution在亚利桑那州的储能设施,以及Albemarle在南卡罗来纳州的锂精炼厂。许多项目因劳动力和供应链问题成本超预期,如台积电在美第二座晶圆厂的投产时间就推迟了两年。


政策上的挑战也不容忽视。美国政府推出芯片法案资助半导体项目的速度缓慢,IRA规则的不明确性导致项目停滞不前。例如,Nel Hydrogen因氢气税收抵免规则的不确定性而暂停了其工厂项目,Anovion则因电动汽车法规不明确而推迟了工厂建设。


此外,政治因素也增加了项目的不确定性。特朗普若在11月的总统大选中获胜,可能会“终止”IRA,这为项目投资带来额外风险。与此同时,中国在同一时期宣布了超过2200亿美元的清洁技术和半导体制造业投资,成为全球清洁技术生产的领导者,这也吸引了一些企业将项目转移到中国以获取新补贴。这些挑战表明,尽管《芯片法案》具有前瞻性,但其实施过程充满复杂性和不确定性。


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