在芯片制造领域，随着摩尔定律逐渐失效，晶体管的缩小速度放缓。为了应对这一挑战，芯片制造商正转向一项名为直接混合键合（Hybrid Bonding）的技术，期望通过3D堆叠来提升芯片性能和功能。这种技术可将多个芯片叠加在同一封装内，大幅增加了芯片之间的连接密度，从而有效提升数据传输效率。
混合键合的核心在于通过精密控制铜pad的膨胀和熔合，将两个芯片牢固地连接在一起。此项技术不仅提高了芯片的电导率，还显著增强了其稳定性。虽然晶圆与晶圆的混合键合工艺已经相对成熟，但芯片与晶圆的键合技术仍在不断优化中。尤其是在高端处理器和AI加速器的制造中，混合键合有望带来革命性的突破。
未来，混合键合技术在高带宽存储器（HBM）中的应用潜力巨大，预计可实现更紧密的芯片堆叠，从而满足AI发展带来的海量数据处理需求。业内专家预测，到2029年，这一市场将翻倍增长，达到380亿美元，成为先进封装技术中增长最快的领域。通过混合键合，芯片制造商不仅能更高效地利用空间，还能提高整体性能，使芯片设计更为灵活。
总之，混合键合技术的进步，将进一步推动3D芯片的发展，赋予未来芯片设计更多可能性，值得期待。
