TEL与Lam Research竞相推出低温蚀刻新技术，以抢占3D NAND通孔蚀刻市场。

TEL预计其低温蚀刻设备将于2026年贡献营收，该设备能形成400层以上记忆通孔，受到铠侠、SK海力士等厂商关注。三星电子也考虑在570层3D NAND生产中采用该技术。

与此同时，Lam Research发布了第三代低温绝缘膜蚀刻技术Lam Cryo 3.0，声称支持1000层NAND研发，加工速度提升2.5倍，能耗降低40%。该技术已获客户评估，并具备量产实绩。

随着两家巨头相继发力，NAND厂商在设备选择上陷入抉择。TEL社长对自家技术充满信心，强调其环保优势，不使用有害气体，符合净零排放趋势。低温蚀刻技术竞赛正酣，市场格局或将因此改写。