近日，有关三星电子第五代高频宽记忆体芯片HBM3E通过英伟达测试的消息在业界引起广泛关注。然而，三星电子已对这一报道进行了否认，明确表示该消息并不属实。

三星电子在8月7日的声明中指出，尽管无法证实与客户相关的报道，但可以确定的是，有关HBM3E芯片通过测试的消息是错误的。公司一位员工进一步解释称，质量测试仍在进行中，自上个月电话会议以来，情况并未发生变化。

此前，有媒体引用匿名消息人士的话报道称，三星和英伟达预计将很快签署供应协议，计划从第四季度开始交付8层HBM3E芯片。同时，报道还提到，12层HBM3E的测试仍在进行中。

值得注意的是，在7月31日公布的第二季度财报电话会议上，三星曾表示，已向英伟达等主要客户提供了8层HBM3E产品的样品，并正在进行质量测试。公司预计在第三季度开始批量供货。

此次三星电子的否认表明，尽管市场对HBM3E芯片的进展充满期待，但产品测试和验证过程仍在进行中，距离正式通过客户测试和批量供货尚需时日。这也提醒业界，对于未经官方确认的消息，应保持谨慎态度，避免过度解读。随着三星电子与英伟达等合作伙伴的持续沟通和技术测试，HBM3E芯片的未来应用前景仍值得期待。