三星电子的第五代高频宽记忆体芯片HBM3E据传已通过英伟达的测试，这一进展标志着三星在高端内存市场的竞争力得到显著提升。该芯片专为处理生成式AI任务设计，通过测试为三星在与SK海力士等竞争对手的较量中清除了重要障碍。
尽管三星和英伟达尚未签署供应协议，但预计双方将很快达成一致，并计划于2024年第四季度开始供货。不过，三星的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达的测试。对于这一消息，三星和英伟达均未予以置评。
HBM作为一种动态随机存取存储器标准，自2013年推出以来，因其垂直堆叠技术在节省空间和降低功耗方面的优势，成为AI图形处理单元（GPU）的关键组件。TrendForce研究公司预测，HBM3E芯片将成为今年市场上的主流HBM产品，预计下半年出货量将大幅增长。
行业分析师估计，HBM内存芯片的总体需求将以每年82%的速度增长，至2027年。三星此前预测，第四季度HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%，若能在第三季度前获得英伟达的最终批准，这一目标有望实现。尽管三星没有公布具体芯片产品的收入明细，但根据分析师的调查，今年上半年三星DRAM芯片总收入预计为22.5万亿韩元，其中约10%可能来自HBM销售。
