近日，半导体产业界传来喜讯，芯联集成电路制造股份有限公司（简称“芯联集成”）成功获得了一项重要专利——“半导体器件的创新制备工艺及其产品”，该专利的授权公告号为CN118073206B，标志着芯联集成在半导体技术领域的又一重大突破。

此次获得的专利聚焦于半导体器件的制备方法与器件本身，是半导体技术领域的一次深度探索与实践。据专利描述，该制备方法巧妙地在半导体材料层上构建出包括漂移区和体区的第一器件区，并通过一系列精细的工艺步骤，如形成场氧化层、第一沟槽、第一介质层等，最终实现了导电层的精准布局。这一创新设计不仅显著提升了器件的击穿电压，更通过简化的制备流程降低了生产成本，提高了生产效率。

特别值得一提的是，该专利中的导电层布局极具创意，分别构成了第一场板、第二场板和栅电极层，这种多层次、多维度的结构布局不仅优化了器件的性能，还展现了芯联集成在半导体工艺设计上的深厚功底和前瞻视野。