ictimes消息，近日，韩媒ETNews报道，SK海力士正在加快下一代NAND闪存的开发步伐，计划在2025年底前完成400+层堆叠NAND的量产准备，并预计2026年第二季度正式启动大规模生产。这一计划标志着SK海力士在NAND技术上的突破性进展，将推动行业技术革新。

SK海力士已经在2023年展示了321层堆叠NAND闪存样品，预计将在2025年上半年实现量产。与业界普遍的技术更新周期相比，SK海力士的创新步伐明显加快。业内普遍认为，SK海力士的下一代NAND闪存将在代际更新间隔上缩短至约一年，大大超出美光和三星的更新周期。

SK海力士的新型400+层堆叠NAND将采用不同于现有4D NAND的全新设计。该公司将采用W2W（晶圆对晶圆）混合键合技术，将外围电路和存储单元分别制造在两块晶圆上，然后进行整合。这种设计类似于长江存储的Xtacking和铠侠-西部数据的CBA技术。

目前，SK海力士已经开始构建NAND混合键合所需的原材料与设备供应链，并对相关技术和材料进行新的审查。这一进展不仅展示了SK海力士在闪存技术领域的领先地位，也预示着未来存储器市场的激烈竞争。

总的来看，SK海力士的迅速推进和技术创新将对整个存储市场产生深远影响，为行业注入新的活力。