ictimes消息，近日，台积电宣布计划在2028年推出A14P制程技术，届时将引入最新的High NA EUV光刻技术。这一技术突破有望为半导体制造带来革命性的变化。
台积电海外营运资深副总经理张晓强表示，目前公司正评估High NA EUV光刻技术在未来制程节点中的成本效益与可扩展性，具体采用时间尚未确定。尽管如此，业内对这一技术的期望值极高。
ASML公司将在2024年内向台积电交付首台价值3.8亿美元的High NA EUV光刻机。该设备的分辨率达到8nm，能够将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍。这意味着芯片制造商可以简化制造流程，提高生产效率。此外，ASML计划在2025年前将光刻机的每小时晶圆印刻量从185片提升至220片。
值得一提的是，ASML已经于2023年12月向英特尔交付了全球首台High NA EUV光刻机。英特尔也宣布将率先采用ASML第二代High NA EUV光刻机系统，TWINSCAN EXE:5200B。
总体而言，High NA EUV光刻技术代表了半导体制造技术的重大进步，台积电的引入计划将进一步巩固其在全球半导体制造领域的领先地位。这不仅对台积电来说是一次重大机遇，也为整个行业带来了新的可能性和发展前景。
台积电的这一举措显示出其对未来技术的前瞻性和大胆尝试精神。通过引入最先进的光刻技术，台积电将继续引领半导体制造领域的发展，为全球科技进步做出巨大贡献。这个战略不仅有助于巩固其市场地位，也将带动整个行业迈向新的高度。
