在国家信息技术应用创新展示中心，芯合半导体有限公司举行了一场引人注目的产品发布会，隆重推出了其最新研发的SiC SBD和SiC MOSFET系列碳化硅功率芯片。这次发布标志着芯合半导体在碳化硅领域的突破，为其企业发展注入了新的动力。
此次发布会吸引了众多半导体行业的专家、企业代表以及投资者，展示了芯合半导体在碳化硅功率器件方面的显著成就。总经理赵清在开场致辞中强调，碳化硅作为一种新型半导体材料，面对着前所未有的挑战。然而，芯合半导体凭借其丰富的经验和技术积累，正致力于推动碳化硅技术的国产化进程，为高端应用提供更优质的服务。
总工程师王敬详细介绍了公司采用的IDM模式，涵盖了芯片设计、晶圆制造及封装测试，展现了芯合半导体在技术创新和生产管理上的独特优势。公司推出的SiC MOSFET和SBD系列产品，不论在阈值电压、导通电阻还是高温性能方面，都已达到国际领先水平。
此次发布会的成功不仅展示了芯合半导体的技术实力，也标志着碳化硅产业的新篇章。未来，芯合半导体将在全球半导体市场中继续奋勇前行，为客户提供卓越的产品和服务，必将成为行业的翘楚。
