7月24日，湖南三安半导体迎来了历史性的时刻——芯片二厂M6B设备正式入驻，标志着公司8英寸SiC产业布局迈入新阶段。电力电子事业部总经理江协龙先生携高管团队共同见证了这一荣耀瞬间，他强调，M6B的投产不仅是公司发展的里程碑，更是创新驱动、质量至上的新起点。

此次M6B设备的成功入驻，预示着湖南三安SiC项目二期工程的全面加速，为8英寸SiC芯片产线的正式投产奠定了坚实基础。公司总投资160亿人民币的SiC项目，旨在打造国内领先的6英寸与8英寸SiC晶圆垂直整合量产平台，预计全面达产后将具备年产数十万片高性能SiC晶圆的能力。

展望未来，湖南三安将依托M6B的投产，进一步提升在SiC领域的竞争力，满足市场对高性能芯片日益增长的需求。公司计划于今年底实现M6B设备点亮与通线，正式开启8英寸SiC芯片的规模化生产，为我国第三代半导体产业的蓬勃发展贡献力量。在市场拓展与研发投入的双重驱动下，湖南三安正加速推进8吋SiC从材料到终端应用的全流程落地，引领行业迈向新高度。