三安半导体宣布其湖南与重庆的两大SiC项目即将迎来重要节点。湖南三安SiC项目二期预计12月正式投产，其8吋SiC芯片生产线将全面加速布局，年产能将达到96万片，标志着公司向8吋SiC垂直整合制造商的转型。而重庆项目则计划在8月底实现衬底厂的点亮通线，与意法半导体共同打造全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，年产能同样可观。

这两项总投资超过460亿元人民币的项目，不仅展现了三安半导体在SiC领域的坚定布局，也预示着中国SiC产业的快速发展。随着电动汽车市场的持续增长，对高效率、高功率密度和高温稳定性的车规SiC产品需求激增。三安半导体的扩产将有效缓解市场供需矛盾，为行业注入新的活力。

此外，三安半导体还将出席即将在深圳举办的“新能源汽车800V高压系统与功率半导体技术大会”，分享其在电动车800V系统功率半导体整体方案方面的最新研究成果。大会将汇聚众多行业领袖和专家，共同探讨800V高压系统的最新技术进展和未来趋势，为行业交流、合作与创新搭建平台。