7月24日，三安半导体在其芯片二厂M6B举行了盛大的设备入场仪式。这一重要时刻标志着三安半导体在碳化硅（SiC）项目二期的推进迈出了关键一步，为实现8英寸SiC芯片的全面生产奠定了坚实基础。

湖南三安的SiC项目总投资高达160亿元人民币，致力于打造一个兼容6英寸和8英寸的SiC全产业链生产平台。项目完工后，将具备每年生产36万片6英寸和48万片8英寸SiC晶圆的能力。预计到今年年底，M6B将完成点亮通线，湖南三安半导体将正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商，进入全新阶段。

与此同时，重庆三安半导体的SiC衬底工厂也在紧锣密鼓地进行设备搬入。根据重庆三安基建负责人的介绍，工厂的主厂房已经完成，外墙装饰和室外道路接驳也都已完成，目前正处于设备安装调试的最后阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。重庆三安项目总投资约300亿元人民币，达产后将成为全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线，预计年产48万片8英寸SiC衬底及车规级MOSFET功率芯片，并有望实现170亿元的年营收。

湖南与重庆两地工厂的设备搬入完成，预示着三安半导体的SiC产能将迎来显著提升。这一战略布局不仅将增强三安半导体在市场中的竞争力，也为未来的技术创新和市场拓展奠定了强大基础。三安半导体的快速发展和高水平布局，标志着其在SiC领域的领导地位将进一步巩固。