随着AI技术的蓬勃发展，高性能计算对数据存储器的要求也达到了前所未有的高度。传统的DRAM存储器因其限制讯息流通的问题，已经难以满足AI对高速、大容量存储的需求。此时，HBM（High Bandwidth Memory）凭借其独特的优势，成为了AI领域的明星存储器。

HBM通过在同一封装内将芯片的矽中介质和SoC集成在一起，突破了数据I/O封装管脚限制的最大数量，有效解决了传统DRAM存储器面临的宽带限制问题。这种技术不仅提高了数据传输的带宽，还降低了延迟和功耗，使得AI处理器能够更高效地运行。

目前，SK海力士在HBM市场上占据主导地位，其市占率超过五成，具备主宰HBM价格的能力。这得益于SK海力士在HBM技术上的持续投入和领先地位。

然而，在这个激烈的市场竞争中，三星电子却遭遇了不小的挑战。由于过热和功耗问题，三星电子一直未能通过Nvidia的HBM认证，导致其无法进入Nvidia的供应链。这无疑削弱了三星电子在HBM市场的竞争力，也让SK海力士有机会进一步扩大其市场份额。

与此同时，HBM的生产周期较长，从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。这要求买家必须提前规划预定，否则即使有钱也可能买不到。目前，SK海力士和美光科技已经预订了今年的全部产能，而三星电子则面临着认证和产能的双重压力。

从技术角度看，HBM通过独特的矽穿孔（TSV）技术，实现了数据在GPU之间的高效传输。这种技术使得HBM能够以数个DDR堆叠的方式形成大容量和高宽带的DDR组合阵列，最高能节省九四％的芯片面积。这些优势使得HBM成为AI运算过程中存储器的首选。