云镓半导体近日宣布成功研发出650V/150A的增强型GaN芯片，其导通内阻典型值达到10mΩ，标志着在10mΩ内阻GaN芯片研发方面取得了重要突破。这款大电流芯片不仅展现了E-mode GaN器件的高电流等级，还通过先进的工艺制造平台和云镓的自研工艺，实现了超过80%的芯片良率。

云镓半导体成立于2021年，专注于GaN功率器件及解决方案的设计。这款新型芯片专为新能源汽车等领域设计，焊盘引脚灵活多变，可根据客户需求进行定制化生产。同时，更小的寄生和走线设计能提升系统性能，进一步降低成本。

目前，云镓半导体已推出多款GaN功率器件及IC类产品，覆盖100-900V电压平台，广泛应用于消费电子、数据中心、再生能源和汽车电子等领域。随着GaN在消费和工业市场的普及，云镓半导体正积极布局工业类应用，以满足不断增长的市场需求。

今年初，云镓半导体推出的650V GEN-2平台产品，通过优化设计和工艺平台，实现了性能参数的大幅提升和成本的显著降低。这些创新成果展示了云镓半导体在GaN功率器件领域的领先地位和持续创新能力。