据“龙岩发布”官方消息，晶旭半导体的二期高频滤波器芯片生产项目，基于前沿的氧化镓压电薄膜新材料，自2023年12月启动建设以来，项目主体已圆满封顶，预示着年底前将具备设备模拟的先决条件。

该项目总投资高达16.8亿元，占地136亩，旨在打造全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。这一创举不仅填补了国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白，更预示着中国半导体产业在高端滤波器芯片领域的重大突破。

晶旭半导体，作为拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术的IDM模式厂商，其基于单晶氧化镓的体声波滤波器芯片技术，已获多项技术创新成果，独立自主知识产权的加持，让其在国际舞台上更加熠熠生辉。

晶旭半导体的愿景远不止于此，公司正积极构建宽禁带和超宽禁带化合物半导体芯片产业生态圈，其主打产品——氧化镓基射频滤波器芯片及器件，广泛应用于5G通讯、智能物联等前沿领域，为科技进步和社会发展贡献力量。

值得一提的是，今年2月，晶旭半导体与深圳市睿悦投资控股集团有限公司达成战略合作，获得亿元级别的独家战略投资。这笔资金将有力推动晶旭半导体实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片项目的落成与达产，进一步巩固其在行业内的领先地位。