日本新兴芯片公司Rapidus近日宣布，将与德国顶尖科研机构Fraunhofer IZM携手合作，共同研发2纳米环绕式闸极（GAA）芯片的封装技术。此次合作旨在Rapidus位于北海道的在建工厂中，打造一套集半导体前后端制程于一体的综合解决方案。
Rapidus自2022年成立以来，便立志在全球半导体产业中崭露头角。公司不仅在前端制程技术上与美国IBM紧密合作，研发2纳米逻辑IC设计，还在后端制程上寻求突破，以打造全面整合的半导体生产线。
此次与Fraunhofer IZM的合作，正是为了攻克2纳米GAA芯片封装技术的难关。Fraunhofer IZM作为该领域的佼佼者，将为Rapidus提供强大的技术支撑。双方将共同研发在6,640平方毫米光罩面积基板上，通过高精度互连技术，实现2纳米芯片的封装。
Rapidus表示，这一技术的研发成功将大大提升芯片的集成度和性能，为公司及其客户带来显著的竞争优势。预计在未来几年内，Rapidus将把这一技术应用于实际生产中，为全球半导体产业注入新的活力。
