在AI的推动下，HBM陷入了前所未有的市场狂热。

为了抓住市场机遇，存储大厂们除了加紧产能扩张之外，还展开了HBM先进封装堆叠技术的竞争。

为了在保持厚度的同时增加HBM容量，也就是垂直堆叠更多DRAM芯片，就势必需要减薄DRAM芯片40%，但这也会带来芯片本身容易弯曲等问题。为此，SK海力士先进封装开发团队自研了一种先进MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术，并在HBM2e以上的产品中广泛使用。

据SK海力士强调，这种先进MR-MUF技术，相比过去传统的MR-MUF技术效率提高三倍，散热能力提高了近2.5倍。

在HBM3时代，SK海力士一直牢牢占据着第一的位置，这并非毫无来由，毕竟三星和美光两家厂商主要还是在使用TC-NCF的传统方案。据透露，三星的HBM3芯片良率只有10%到20%，而SK海力士的良率已经达到60%到70%。为此，三星也在竭力追赶，推进更大容量的HBM。今年2月底，三星发布了业内首个36GB的HBM3E 12H DRAM。

通过12层DRAM芯片堆叠，三星将其性能和容量均提升了50%。但此前提到的TC-NCF技术劣势依然存在，尤其是在效率上。因此除了TC-NCF技术外，三星还准备混合键合技术。

SK海力士也不例外，他们同样认为混合键合技术会是未来HBM提高密度和性能的关键，毕竟随着凸点数量、I/O引脚数量的增加，凸点间隙越来越窄，NUF填充胶能否穿透凸点也会成为问题。所以在未来的HBM4上，SK海力士也计划采用混合键合技术。