随着AI时代的到来，高性能的存储需求日益增长，HBM（High Bandwidth Memory）凭借其高带宽、低延迟和低功耗的优势，成为行业的新宠。台积电已宣布将使用其先进的N12FFC+和N5制程技术生产HBM4基础裸片，并多次扩产CoWoS先进封装产能，以满足市场对HBM的高涨需求。
HBM作为一种新型存储器，通过2.5D CoWoS封装技术与AI算力芯片结合，能够显著提升算力性能。其独特的设计将多个DRAM堆叠起来，利用TSV（硅通孔）和微凸块技术连接，实现高带宽和低延迟。与传统的GDDR5相比，HBM在带宽、容量和空间利用上均展现出显著优势。
为了应对市场对HBM的旺盛需求，SK海力士、三星和美光等三大存储原厂也积极行动。它们不仅提高了先进制程的投片量，还将部分DRAM产线转换为HBM产线，以满足市场对高性能存储的需求。
据预测，随着存储器合约价翻扬，三大原厂将增加资金投入，提升产能。预计今年下半年，1alpha nm及以上制程的投片将占DRAM总投片比重的约40%。其中，由于HBM获利表现良好且需求持续增长，其生产顺序将最为优先。
