南京大学近日宣布成功研发大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，为我国第三代半导体材料加工领域带来重大突破。该技术不仅解决了传统切割技术中的材料损耗问题，还显著提高了生产效率，具有重要的推动意义。

碳化硅作为战略材料，在多个领域发挥关键作用。南京大学的新技术改进了碳化硅单晶加工过程中的切片性能，有效控制了晶片表层裂纹损伤，提高了加工水平。

该项技术的负责人指出，传统多线切割技术存在材料损耗高、周期长等问题，制约了产能和降低了生产效率。而南京大学采用的激光切片设备，显著降低了材料损耗，提升了生产效率。

此外，南京大学的激光切片设备在切割时间上也具有显著优势。单片切割时间不超过15分钟，年产量可达30000片以上，并且有效控制了单片损耗，产片率提升超过50%。

这一成果不仅填补了国内在该领域的技术空白，还有望改变国际市场格局。南京大学研发的设备具有广阔的市场应用前景，将为我国半导体产业的发展注入新的活力。