大族激光旗下的大族半导体公司在SiC（碳化硅）衬底生产领域取得了重大突破。随着SiC衬底向8英寸大尺寸发展，传统线切割技术的高损耗和长加工时间成为制约。大族半导体采用创新的激光剥离技术，有效解决了这些问题。

该技术通过激光在晶锭内部形成改质层，实现晶圆的剥离，显著降低了材料损耗率，提高了加工效率和出片数量。目前，大族半导体的QCB激光切片技术已成功应用于8英寸SiC衬底的量产，为SiC衬底的快速交付和成本降低提供了有力支持。

大族半导体将在6月14日的“汽车&光储充与SiC技术大会”上，展示这一领先技术，并带来详细的主题报告。此外，大族半导体还与多家行业龙头客户合作，不断推出SiC激光切片设备和其他新产品，以推动国产SiC行业的持续发展。

作为国产激光剥离技术的先行者，大族半导体以其创新的技术和实力，正在引领SiC衬底生产领域的新革命，为半导体产业的发展注入新的活力。