晶升股份成功研发液相法SiC晶体生长设备
来源:ictimes 发布时间:2024-05-15
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晶升股份在SiC晶体生长技术方面取得新突破,成功研发出液相法SiC晶体生长设备,并已提供给多家客户。此前,晶升股份已在PVT生长工艺上占据主流,此次研发将为其SiC长晶设备产品线增添新选择。
公司表示,这款液相法SiC晶体生长设备在样机阶段已得到客户认可,并正持续优化和改进,以提升晶体品质和良率。晶升股份的SiC长晶设备已批量出货,涵盖PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等,满足不同应用需求。
晶升股份凭借丰富的产品系列和定制化服务,已发展成为国内领先的半导体级晶体生长设备供应商,客户包括三安光电、东尼电子等知名企业。2023年,公司营收和净利润均实现大幅增长,SiC设备细分赛道前景看好。
此次液相法SiC晶体生长设备的成功研发,将助力晶升股份进一步扩大市场份额,巩固其在SiC设备领域的领先地位。
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