三星平泽厂128层NAND产线转为236层-icspec

三星平泽厂128层NAND产线转为236层

来源:中国半导体论坛发布时间:2023-10-14

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29日消息，据韩媒报道，业内人士透露，三星电子正在推动平泽P1工厂NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星电子减少库存较多的128层NAND闪存的产量，专注于尖端产品的策略。其目标是在今年年底前实现 NAND 闪存供需正常化。

虽然具体规模尚未确认，但据悉三星电子将改变平泽的许多P1 NAND生产线。多位熟悉三星情况的业内人士表示，“据了解，转产政策已经确定，工作已经开始”。P1工厂是三星电子的核心生产基地，其产能为每月10万片DRAM和19万片NAND基于12英寸（300毫米）晶圆。

NAND闪存的层数就是堆叠单元的数量，数量越多，容量就越高，也代表着最新的产品。消息人士称，三星将改变平泽P1的多条NAND生产线。

平泽P1是三星存储的核心生产基地，主要生产DRAM和NAND闪存。据了解，其产能为每月10万片DRAM和19万片NAND，生产能力基于12英寸（300mm）晶圆。

三星正试图减少需求减少的产品产量，并将生产转移到目前商用产品中最先进的236层NAND。由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著，意味着可以快速减少128层NAND的库存。

三星电子计划在今年年底前实现6-8周的适当 NAND库存水平。据称，上半年NAND库存上升至28周，近期下降至18周。三星计划进一步将其降低至适当水平。

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