今年以来，受疫情、经济增速放缓等因素影响，消费电子市场持续疲软，拖累上游芯片等供应链，作为半导体产业的晴雨表，存储市场不可避免受到寒潮侵袭。存储需求下滑背景下，各家存储芯片厂商的业绩表现均不如人意，减产、转换产线时有发生。

不过，尽管已经感受到市场下行的寒风，存储厂商在先进技术方面的竞争却不见颓靡。近日，有消息称，国内存储厂商长江存储完成了232层3D NAND闪存生产，领先于国际大厂三星电子、SK海力士及美光。

2022年8月，长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度，并采用6-plane设计。按照当时供应链信息，长江存储发布的新品堆叠层数已达到232层，达到业界领先水平。

从2018年的32层3D NAND到2019年的64层3D NAND，一年一代的速度，长江存储就像个“追赶者”，尽力追赶国际主流大厂的脚步。自2020年4月一举推出128层3D NAND以来，长存便已大跨步跃入全球闪存市场的第一梯队，实现从“追赶者”到“尖子生”的身份转变。

时隔两年多，“尖子生”长存再次实现跳跃，直接进击232层堆叠，在发布时程上已经领先了部分国际原厂，足以可见长江存储的技术实力，而随着此次搭载此款闪存芯片的产品“流入”市场，更是给全球NAND产业竞赛投下震撼弹……（扫描下方二维码，了解更多）

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