英飞凌携手台积电RRAM技术进攻车用MCU，此为示意图。符世旻摄
车用半导体IDM龙头英飞凌(Infieon)与晶圆代工龙头台积电宣布，双方准备将台积电的电阻式随机存取存储器(RRAM)非挥发性存储器(NVM)技术，引入英飞凌的新一代微控制器(MCU)产品。
英飞凌说明，自引擎管理系统问世以来，嵌入式快闪MCU一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要建构区块，是洁净、安全和智能汽车的重要元件，用于推进系统、车辆动态控制、驾驶辅助和车身应用，可在汽车领域方面实现电气化、全新E/E架构和自动驾驶方面的重大创新。
目前市场上的大多数MCU都是采用嵌入式快闪存储器技术。RRAM则是嵌入式存储器的下一阶段，可望进一步扩展到28纳米及以上制程。台积电与英飞凌成功为车用领域导入RRAM奠定基础，RRAM具有高抗干扰性，允许逐位元写入且无须清除。其耐用性和数据保留效能具有与快闪存储器技术匹配的效能。
台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，台积电和英飞凌针对RRAM NVM技术在不同领域应用的合作有近10年的时间。将TC4x移转到RRAM技术之后，可针对将 MCU 缩小至更小节点方面带来更多新机会。
英飞凌汽车MCU部门资深副总裁暨总经理Thomas Boehm表示，基于台积RRAM技术的AURIX将提升的ASIL-D效能、AI功能更包含10Base T1S 以太网络和 CAN-XL 等最新网络界面，进一步扩展成功的领域。RRAM 技术针对效能扩展、降低功耗和改善成本带来巨大潜力。
在供货状况部分，英飞凌已向主要客户提供基于台积28纳米eFlash技术的 AURIX TC4x 系列产品样品。第一批以28 nm RRAM 技术为基础的样品将于2023年底前供应给客户。
责任编辑：朱原弘
