据Wccftech报导，台积电在加州举办的北美技术论坛上，公布了下一代A14先进制程技术的规划。外界普遍关注该技术是否会采用高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）微影技术。然而，台积电业务开发资深副总裁张晓强明确表示，A14制程将不会采用high-NA EUV技术，而是继续依赖现有的0.33-NA EUV技术。

张晓强指出，从2纳米到A14制程，台积电能够通过现有技术保持制程复杂性，无需引入high-NA EUV设备。这一决策的核心在于控制成本。每一代技术迭代中，台积电都力求减少光罩数量的增加，以提供更具成本效益的解决方案。

预计2028年投产的A14芯片，若采用high-NA EUV技术，可能导致生产成本显著上升。因此，台积电选择绕过该技术，以避免高昂的设备投入和潜在的经济负担。