1.1亿!又一GaN项目即将量产
来源:第三代半导体风向 发布时间:2022-08-08 分享至微信
过去2-3 年中,俄罗斯微波和功率晶体管的市场在显著增长,但目前俄罗斯联邦还没有大规模生产基于氮化镓的电子元件。

不过,在8月5日,莫斯科副市长弗拉基米尔·叶菲莫夫宣布,当地即将启动俄罗斯第一条氮化镓器件6英寸实验线


据介绍,这些电子元件将用于电源、服务器和数据中心的设备5G通信系统的电源模块以及电动汽车的无线充电站。


“行家说三代半”了解到,该氮化镓项目是由莫斯科公司ZNTC JSC与其科技合作伙伴共同建设

目前,ZNTC JSC已经在该氮化镓项目上投资了约10亿卢布(约1.1亿元人民币),并计划在2023年开始小规模生产氮化镓微电子产品。

7月19日,ZNTC JSC官网也发文确认该氮化镓试验制基地投入建设。目前,该基地的建设和必要设备的安装已经完成,并已投入运营。


据介绍,自2011年以来,ZNTC JSC致力于开发和生产氮化镓产品。为了实施基于GaN(Si)的功率电子项目,该公司已经创建了一个新的基础设施,并在此基础上开发了氮化镓器件。

2021年12月,ZNTC就已经成功开发了氮化镓功率器件,同时开发了6英寸原型,确定的目标 GaN-Si 晶体管击穿电压范围为150 至 600 V


根据官网,今年4月,Zelenograd纳米中心参加了ExpoElectronica展览。在纳米中心的展台上,参观者可以了解到该公司在GaN上生产集成光子学和电力电子元件的新技术


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