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行家说“一周要闻”又来了！

本周，碳化硅应用继续火热：TT Electronics被车企指定为碳化硅独家供应商；纬湃认为碳化硅上车大潮可能要提前到来；碳化硅也打入了导轨电源市场。

而氮化镓方面，华润微、安世半导体和EPC都在推出新产品，以应对市场需求。

碳化硅

纬湃：

将占全球碳化硅逆变器15%份额

2020年6月，纬湃科技宣布跟罗姆合作开发800V和400V的SiC逆变器解决方案，并计划于2025 年开始生产第一台SiC逆变器。

但据纬湃科技一经理表示，量产的时间点会比2025年来得更快。

总体来看，基于客户端的系统集成以及Tier1做好准备，碳化硅应用才可能大批量上市。对于未来碳化硅市场，纬湃科技和郁昌松坚持认为，能占据15%左右市场份额，而且，“有可能趋势来的会更快。”

纬湃科技的800V应用，在于即将大规模系列生产的EMR4电机系统，主力功率段是230kW，定子采用六层扁线的结构。EMR4比EMR3有更大的可扩展性，更多可能的子组件组合。EMR4电控模块是和罗姆合作的碳化硅MOSFET，模块也是罗姆的，控制器芯片用的是英飞凌。

导轨电源已采用SiC MOSFET

3月7日，Puls Group 的董事总经理兼创始人 Bernhard Erdl在接受采访时表示，其电源业务销售额在上一年增长30%，销售额首次超过2亿欧元，大约 80% 的销售额来自 DIN 导轨电源；过去大约50% 的订单来自机械工程，但如今物流是一个非常大的客户。

他预计，2022年公司销售额将增长10-20%，而DIN 导轨电源的全球市场低于 10 亿美元。

另外，他还提到，他们现在已经使用 1200V SiC MOSFET，因为使用这些宽带隙器件很容易在设计方面打开了以前不存在的大门，在 600 V 范围则继续依赖 SuperJunction MOSFET。

天狼芯半导体

获得A+轮战略融资

3月10日，天狼芯半导体获得了A+轮战略融资，投资方为深圳国华三新基金管理有限公司。

天狼芯半导体是一家专注于高性能国产功率半导体芯片的Fabless（无产线芯片设计商）创业公司。其主要产品有基于第三代半导体材料GaN（氮化镓）系列和SiC（碳化硅）系列的宽禁带功率器件，以及IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), 可以广泛使用在工业、 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

湖南长沙：

推进碳化硅MOSFET核心技术突破

长沙晚报3月10日报道提到，根据长沙市科技创新委员会最新发布的工作举措，将围绕16项主要任务实现全社会研究与试验发展(R&D)经费投入增长13%，高新技术企业达到6000家，高新技术产业总产值增速15%，实现技术合同成交额640亿元，新增50家市级以上科技创新平台。

其中，长沙市十个重大科技创新标志性项目是长沙打造科技创新高地的主战场之一，今年的目标包括：半导体技术与应用创新研究院实现碳化硅MOSFET核心技术突破等。

TT Electronics 

被指定为汽车碳化硅独家合作伙伴

3月9日，TT Electronics公布了截至 2021 年 12 月 31 日的年度业绩。

其中提到，TT Electronics已与一位长期客户签订合同，为高性能电动汽车中使用的关键部件——下一代SiC 逆变器创建完整的端到端供应链解决方案。TT 在项目的早期设计阶段与该客户合作，并已被指定为 SiC 逆变器的独家制造合作伙伴。

氮化镓

华润微：

或将于今年对外推出GaN产品

近日，华润微表示，公司自主研发的第一代650V、1200V SiC JBS产品已取得稳定销售，去年12月份对外发布了SiC MOSFET产品和第二代650V SiC JBS产品，SiC JBS及MOS产品均可实现量产。

GaN方面，公司同时在6吋和8吋平台进行硅基氮化镓产品的研发，预计今年会对外推出GaN产品。

据了解，华润微是华润集团旗下负责微电子业务的半导体企业，于2004年在香港联交所成功上市，股权结构集中，控股股东华润集团持股超过66%。公司曾建成并运营中国第一条4英寸晶圆生产线、第一条6英寸晶圆生产线，是国内营收规模最大、产品系列最全的MOSFET厂商。

Nexperia：推出氮化镓创新产品

近日， Nexperia BV（闻泰科技的子公司）在APEC展示了其在电力领域的最新发展电子产品，涵盖一系列近期创新，包括：

1.Nexperia 功率 GaN FET 技术的 Ricardo 电动汽车逆变器；

2.上海 E-Drive EV 逆变器，在铜夹 SMD 封装 CCPAK 中包含 Nexperia 的功率 GaN FET 技术；

3.Nexperia 的评估板，用于对 650V SiC 整流器的动态性能进行基准测试。

EPC、ADI团队

推出2MHz GaN DC-DC转换器参考设计

3月9日，EPC 和 ADI 公司推出了参考设计，该参考设计使用了一种完全优化的新型模拟控制器来驱动 EPC GaN FET。新型 Analog LTC7890 同步 GaN 降压控制器与 EPC（高效电源转换）的超高效 eGaN ® FET 相结合，可实现高达 2 MHz 的开关频率，以实现高功率密度和低成本的 DC-DC 转换。

据了解，该款双输出同步降压转换器参考设计板，可将 9 V 至 24 V 的输入电压转换为 3.3 V 或 5 V 输出电压，并为两个输出提供高达 15 A 的连续电流。由于开关频率高，转换器尺寸非常小，两个输出仅为 23 mm x 22 mm，电感器高度仅为 3 mm。

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