提供520亿美元补贴和激励措施的美国芯片与科学法案(CHIPS and Science Act)将拍板定案，此案将有利于业者在美国建造新的先进前端晶圆厂，业界认为，除受惠最大的英特尔(Intel)外，作为美国本土代表性的美光(Micron)也将成为主要受益名单之一。然近期存储器产业陷入市况低潮，扩产规划相继放缓，即使取得资金补助，预料将依照市况逐步推动建厂进度。
近年来存储器产业虽然并未如逻辑芯片出现严重缺货潮，且美国芯片法案对存储器产业应不至于带来重大影响性，但从全球半导体产业的竞合消长来看，存储器在先进技术开发与位元搭配供给，与美国要打造先进半导体供应链的蓝图密不可分。
尤其是国内NAND Flash及DRAM积极迈向自主化脚步，从2022~2023年起长江存储急起直追，即将投产的武汉二期厂将逐渐贡献营运，由武汉政府大力支持的三期厂区也紧锣密鼓推动中，国内存储与存储器产业的势力崛起指日可待。
供应链指出，拜登政府除推动芯片法案外，对外也积极组建包含台湾在内的「芯片4方联盟」(Chip 4 Alliance；C4联盟)，藉由多方策略结盟排除国内势力的壮大，并祭出「胡萝卜与棒子」惯用手法，势必将迫使其他日本、韩国等亚洲大厂相继表态。
从美国在地制造来看，美光可望符合芯片法案的补助条件，美光已在2021年12月宣布10年内将投资1,500亿美元，用于增产能及制程研发，将包括对DRAM及NAND 投资，尽管过去美光在美国设厂传闻不断，但美光始终没有对外松口敲定，主要就是牵涉到政府支持与成本考量。
美光CEOSanjay Mehrotra曾强调，在美国设厂必须要取得联邦政府与州政府支持，以缩短在美国与海外生产约35~45%成本落差，奖励方案将是在美设厂能实现的关键，若法案持续延宕，未来将考虑经济规模最可行的方案扩产。
至于三星电子(Samsung Electronics)先前宣布在美国投资约170亿美元，将在德州建置一座先进制程晶圆厂，近期三星提交多份减免税款的申请，然而三星西安厂为旗下NAND最大生产据点，估计西安厂达三星总产能的40%，一旦三星接受美国芯片法案补助，未来西安厂势必将遭受继续升级技术及扩充厂房的限制。
供应链观察，三星西安厂的扩产计划已大致完成，并作为次于韩国本土一个时代的成熟堆叠制程，在降低成本与量产供应扮演重要角色。尽管芯片法案将对三星带来限制，国内产能依旧是支撑三星维持NAND市占率龙头的重要产能供给。但储存容量的发展与日俱进，意味着NAND厂需不断扩充产能及提升堆叠层数来达成降低成本的目标，三星未来厂区生产资源分配势将重新调整。
近期美光、SK海力士等相继释出将放缓产能供给增加速度，虽然芯片法案的补助分配备受关注，但三大厂仍谨慎看待扩产对于供过于求的压力，未来即使取得建厂资金补贴，但建厂速度将与政府补贴的力道相互拉锯，在取得投资补助额度之外，仍要依照景气复苏回升调整建厂速度，避免急速扩产带来供需失调的副作用。
责任编辑：朱原弘
