史丹佛大学研究团队正在开发一种名为“混合型增益单元存储器”的技术，该技术结合了SRAM和DRAM的优点，旨在提升快取存储器的容量密度。

据Tom's Hardware报道，该技术的领军人物是史丹佛电机工程教授黄汉森博士。他指出，当前GPU内置的SRAM快取存储器存在“存储器撞墙”问题，即从DRAM传输数据耗时耗电。同时，SRAM的存储容量也有限，占用芯片空间大。

相比之下，DRAM虽能以较少的晶体管完成相同工作，但需要不断刷新数据。因此，混合型增益单元存储器技术应运而生，旨在解决这些问题。

该技术整合了两颗独立的读写晶体管来储存数据，省去了DRAM所需的额外电容。写入晶体管采用原子层沉积氧化铟锡制作，读取晶体管则使用矽P通道金属氧化物半导体，提升了存储器效能。

测试中，混合型增益单元存储器可保存数据超过1小时，优于DRAM。然而，实际应用时仍存在局限，如某些性能较SRAM弱，尤其是数据密度高的配置。