第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长杨富华，宁波市经济和信息化局总工程师王川，宁波电子信息集团董事长兼总裁、宁波电子行业协会会长李凌，宁波市科技局高新处处长陈强红，宁波市商务局副处长沈益本，宁波电子信息集团有限公司副总裁干新德、宁波电子行业协会秘书长顾朝辉，宁波电子行业协会专家委员会主任任奉波，宁波大学信息科学与工程学院教授刘太君等领导嘉宾代表，以及来自全国第三代半导体产业知名专家、企业代表出席论坛。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长冯亚东主持会议。

本次论坛是在宁波市人民政府指导下，第三代半导体产业技术创新战略联盟、宁波电子行业协会、宁波半导体照明产学研技术创新战略联盟主办。国家半导体照明工程研发及产业联盟、长三角第三代半导体产业技术创新联盟、宁波市发展与改革委员会、宁波市经济与信息化局、宁波市科学技术局支持下，宁波高盛国际展览有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司联合承办。

宁波市经济和信息化局总工程师王川为论坛致辞时表示，宁波市委、市政府高度重视集成电路及其关键材料产业的培育发展，经过多年的努力，已初步形成了涵盖半导体基础材料、集成电路设计、制造、封装测试、行业应用的全产业链条，构建了以芯港小镇、集成电路创新产业园等为支撑的“一园三基地”产业发展格局，引进培育了中科院宁波材料所为代表的一批重大创新载体，获批建设浙江省新材料实验室，涌现出了宁波中芯国际、金瑞泓、江丰电子、南大光电、康强电子等一批优质企业，在集成电路材料领域形成了明显的区域优势。按照《宁波市数字经济倍增计划（2023-2027）》，宁波市将加快打造以特色工艺集成电路为代表的十大标志性产业链，大力发展第三代半导体等特色工艺集成电路产业，加快突破关键核心技术，力争在5G、物联网、工业互联网、新一代人工智能等新兴应用领域形成新动能，夯实集成电路材料产业国内优势地位，致力于打造具有国际竞争力的特色工艺集成电路产业基地。

宁波电子信息集团董事长兼总裁、宁波电子行业协会会长李凌致辞时表示，第三代半导体是集成电路产业发展的前沿重点，对于国民经济、国防安全、社会民生等是有重要战略意义。宁波市委、市政府高度重视半导体产业、集成电路及其关键材料产业培育发展，经过多年的努力，宁波市半导体产业已逐步形成四大优势：一是产业链相对健全；二是集聚了一批细分行业龙头企业；三是下游产业转型升级需求大；四是半导体关键核心材料的重要生产基地具有较为明显的区位优势。

为全力推进宁波市半导体（集成电路）及其关键材料领域“卡脖子”技术攻关，宁波市政府高度重视，并通过一系列举措加速产业发展，将其列宁波市“246”产业体系，重点发展第三代半导体新材料研发及应用，先后制定了一系列扶持政策。

李凌表示，后疫情时代，半导体照明正面临新一轮科技革命与产业变革创造的历史性机遇，超越照明和智慧照明及创新应用已成为产业新的增长点，新科技、新经济、新业态，给宁波市发展提供巨大的发展机遇，协会也将联合业界共同推进产业发展。夯实宁波市半导体材料国内优势地位，加快发展第三代半导体产业，致力于打造具有国际（国内）竞争力半导体（集成电路）产业基地，

新材料是新一轮科技革命和产业变革的基石与先导，也是国家面向未来确定的战略必争领域之一。以第三代半导体材料为基础的新兴技术正迅速崛起，其技术及应用的突破成为全球半导体产业新的战略高地。

论坛的报告环节，来自产业链不同环节的专家们围绕氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料的研究与现状展开了交流与探讨。

当前我国正处在第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期，国家也高度重视并通过一系列举措加速产业发展。第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长杨富华带来了题为”第三代半导体产业中国机会“的主题报告。他指出，半导体产业是新的地缘政治下全球竞争焦点。“高质量”发展需要部署决战未来、关系全局、影响深远、战略必争的高技术领域，认清发展，防范风险，保障全链条产业安全。

氮化镓具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速度高和抗辐射能力强等特点，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料。江苏第三代半导体研究院刘宗亮博士介绍了氮化镓材料技术的研究进展。他首先介绍了氮化物半导体的应用领域与技术路线。并表示，III族氮化物半导体技术的可持续发展，材料质量是可持续发展的关键。并详细介绍了氮化镓材料生长方法及关键技术，以及在位错密度、点缺陷、参杂调控、制备成本等方面最新成果。展望未来，芯片缩微化，功能多元化；能效的提升，多物理场的耦合，多物理量的表征技术；信息带宽的提升；信息功率的集成；光电子应用走上微电子技术路线等等，一定是材料的融合，工艺的融合，多物理量表征，努力发展大尺寸单晶衬底技术！

随着新能源汽车等市场的发展，碳化硅材料技术的需求及应用领域在不断扩大，也成为诸多半导体企业的竞争热点。中电化合物半导体有限公司副总经理张昊翔博士带来了题为“碳化硅材料技术与进展研究”的主题报告，分享了最新的研究进展，报告指出，目前中电化合物已实现6吋SiC材料全产业链自主可控，已建成涵盖SiC晶体，SiC衬底和SiC外延片的产线，均已通线。

当前半导体封装正向着小型化，高I/O,高性能等方向发展，芯片面临“热挑战”，热管理（散热）问题非常关键。江苏博睿光电科技有限公司副总经理梁超带来了题为“第三代半导体封装用高导热陶瓷基板及金属化技术”的主题报告，报告指出，热管理材料未来将向着高热导率板材，高效近结冷却封装结构等方向发展，DPC陶瓷金属化基板具有高精度，高结合力，纯铜通孔垂直互连，大电流等优势，应用于LED照明，深紫外LED/消杀，功率激光器LD、极端服役环境等领域，报告还介绍了高导热AIN陶瓷基板的的发展以及DPC核心工艺。

SiC材料具有禁带宽度高，击穿场强大，热导率高等特点，SiC器件，具有耐压高，开关速度快，导热性好，导通电阻小等优势，SiC对于提升效率降低装置损耗，实现“碳中和、碳达峰”具有重要意义。有数据显示，2021年碳化硅器件市场规模10.9亿美元，预计2027年达到62.97亿美元。安徽长飞先进半导体有限公司研发总监钮应喜分享了“碳化硅器件关键技术及进展”的主题报告，SiC 8英寸时代即将到来，报告介绍了SiC外延设备最新进展，以及SiC外延技术，SiC栅氧制备技术，SiC背面减薄技术。报告指出，目前超厚外延产业化技术，少子寿命提升技术，P型衬底技术，超级结实现技术等尚未成熟。

新能源汽车产业蓬勃发展，成为双碳目标的重要抓手，全球新能源汽车市占率逐年攀升。电动化要满足续航里程与补电效率的双重需求，SiC是提升新能源汽车续航里程的最佳方案，SiC可以大幅度提升电控功率密度，提升OBC效率与功率密度等。复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长、复旦大学研究员雷光寅博士带来了题为“碳化硅功率半导体在电机控制器中的应用”的分享，报告指出，高效率、高功率密度、高工作温度是电机控制器的发展方向。 SiC MOSEFT将逐步取代部分SiC IGBT作为驱动电机控制器中的主功率器件。在提升效率的同时，电控的发展方向是更高的功率密度及更高的系统集成。不过，SiC电机控制器技术目前在高性能功率半导体模块，驱动电路及电磁干扰抑制等方面面临挑战。

一代材料决定一代器件，当前，第三代半导体已经成为高频高压器件领域最有前景的材料。中科镭特电子有限公司总经理张紫辰带来了“碳化硅激光加工工艺与设备”的主题报告，报告指出，碳化硅材料上游技术难度大，下游应用强相关的特点，结合SiC材料面临的挑战与需求，分享了碳化硅加工需求，碳化硅隐形切割，碳化硅激光退火等专利工艺与设备的最新进展。

第三代半导体应用广泛，具有产业链长、多学科交叉的特点，要解决第三代半导体产业的“卡脖子”问题，培养各层次、高素质的专业人才刻不容缓。会议同期，中国宁波（首届）第三代半导体产教融合人才发展论坛暨先进半导体产业学院专家委员会成立大会举行。聚焦产业产教科融合人才培养等话题展开分享主题报告。

近年来，智能照明已成为全球照明产业发展趋势，随着人们对智能健康产品的不断追求，智能化、健康化、绿色低碳照明系统为主导方向的高质量发展将成为产业发展的必由之路。会议同期，举办了第十三届中国（宁波）国际半导体照明展以及中国智慧照明创新应用论坛，并邀请到行业资深专家出席会议，围绕着智能照明、健康照明、植物照明、UVLED等细分市场展开前沿技术及主题分享。