相较于三星电子(Samsung Electronics)、台积电2022年将先后导入3纳米制程量产，英特尔(Intel)目前正放量7纳米(Intel 7)时代，为了重回先进制程领先地位，英特尔先前业已揭露未来4个时代节点的量产时程、晶体管架构、与效能改善目标等，日前提供4纳米(Intel 4)更多相关细节。

被视为与英特尔4纳米在晶体管密度接近的三星3纳米GAE制程与台积电N3时代，不仅要展开双雄对决，更要面临英特尔4纳米孪生时代3纳米(Intel 3)预定2023下半年量产、锁定外部客户投片的挑战。

根据SemiWiki、ExtremeTech报导，从晶体管密度来看，英特尔4纳米介于台积电N5与N3时代之间，更与台积电3纳米时代接近。在此同时，或许三星3纳米GAE在效能表现上，拥有胜出英特尔4纳米与台积电3纳米的一小截优势，但三星还需视良率开出稳定与否，吸引外部客户下单，而台积电3纳米则已传出至少有英特尔、苹果(Apple)包下产能。不过，英特尔4纳米的孪生兄弟3纳米制程2023年导入时，已有4纳米量产成功为基础，预计在效能上可望优于三星3GAE与台积电N3制程。

英特尔从7纳米演变到4纳米制程，可说是完整节点微缩(full node shrink)的推进，也是英特尔2021年宣布重回晶圆代工市场、服务外部客户投片后，第一个完整节点的微缩推进，但英特尔并不打算推荐外部客户采用4纳米量产。虽说英特尔也强调只要客户有意愿，也开放4纳米让客户投片，不过英特尔晶圆代工服务(IFS)的先进制程客户将多数聚焦在3纳米。

报导指出，英特尔4／3纳米制程当初在采用EUV曝光机台应用之初，就是将4纳米作为3纳米的发展基础，英特尔从DUV推进到EUV曝光的转型中，跨越2个节点来分散EUV转型期风险，借此简化学习曲线。至于何以英特尔的晶圆代工客户可能优先选择3纳米而非4纳米制程的原因，主要原因可能在于英特尔4纳米制程以优化高效能芯片为主，但相较于类似英特尔、NVIDIA、超微(AMD)、IBM等业者，优先聚焦在效能本身的投片客户不多，大多数的台积电投片客户，反而更倾向于更高晶体管密度，以及低功耗的综合优化选择。

从英特尔的发表规格也可看出，主要用来生产自家运算块的4纳米，并没有I／O fin，同时4纳米只提供高效能cell而没有高密度cell。相对地，英特尔3纳米不仅同时提供I／O fin与高密度cell，也导入更多EUV采用，以及互连等，英特尔3纳米在设计之初，预期即能够快速从4纳米衔接。

当晶圆代工业者针对众家投片客户建置量产节点时，通常会同时针对高效能与高密度产品来设计。从前者来看，英特尔采用4纳米制程多以生产自家标榜超高效能的CPU为主，至于强调高密度的3纳米制程，则更适合GPU与其他ASIC芯片采用。如此看来，或许也暗示包下台积电先进产能的英特尔，在可见的未来仍将选择台积电代工非CPU与芯片组的生产。

英特尔发表人Bernhard Sell在回答会场提问时暗示，从14纳米凸槌，到10纳米卡关，再到7纳米良率问题，现在的4纳米制程(Intel 4)以及后来的先进制程节点规划，不再重蹈以往要在单一时代立刻取得晶体管密度倍增的跳跃性作法，英特尔如今采用模块式取向，分别开发出模块后，也能更快速地提供更高效能，殊途同归。

从英特尔2022、2023连续2年量产4纳米与3纳米的蓝图规划，尽管进程紧凑，却不能轻忽IFS的威胁。以实力而言，2022年英特尔4纳米用自家CPU打底练兵，2023年是3纳米决战关键，英特尔的3纳米只要能够抢到IBM、高通「正式」下单投产，对于三星或台积电而言，即是无法忽视的存在。

责任编辑：张兴民