三星3纳米困境未阻2纳米雄心,力争2026年强势反弹
来源:ictimes 发布时间:2024-11-22 分享至微信
据媒体DigiTimes报道称,三星在面对3纳米工艺上的困境时并未气馁,反而展现出“越挫越勇”的精神,积极布局2纳米芯片领域,并计划在2026年实现强势反弹。
由于三星3纳米工艺的良率较低,导致许多主要客户转向台积电,这对三星的营收和市场地位造成了直接影响。尽管三星是全球第二大芯片代工厂,但其市场份额远不及台积电,竞争压力巨大。
据IT之家此前报道,三星3nm工艺的良率低于20%,而台积电的3nm良率已超过80%,并正逼近90%。
此外,三星的Exynos 2500芯片量产也遭遇了阻碍,导致三星Galaxy S25系列手机在全球范围内采用高通骁龙8 Elite处理器,增加了成本。据最新消息,为了弥补芯片和其他组件的成本,Galaxy S25系列最高涨价130美元。
尽管面临诸多挑战,但三星并未放弃,而是积极争取来自高通和英伟达等大厂的大规模订单,目标是2026年初量产2纳米芯片。在此之前,三星计划在2025年末量产2纳米芯片Exynos 2600,以此展示其先进的工艺技术和实力,重塑市场信心。
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