罗姆半导体(Rohn)规划要在2025年度(2025/4~2026/3)将碳化矽(SiC)功率元件事业的销售额，提高到1,000亿日圆(8亿美元)以上，并且把SiC功率元件的全球市占，从目前的14%提高到30%，成为全球首位。
为此，罗姆2022年位于日本福冈县的新厂房将投产，到2025年度前投资扩产1,700亿日圆。不过，功率元件最大厂英飞凌(Infineon)也在扩充SiC功率元件产能。
日经新闻(Nikkei)、电波新闻(Dempa)等报导，罗姆在2022年6月8日举行日本福冈县筑后市SiC功率元件专用新厂的开张典礼。这座新厂是日本第一座专门用于生产SiC功率元件的工厂。
罗姆社长松本功表示，新厂就是罗姆在SiC元件市场夺取市占首位的起点。由于全球碳中和趋势推动车辆电动化的速度，比估计快2年左右，需求超乎预期，因此2025年度SiC元件市场规模，应可达到2,000亿日圆。目前从客户端向罗姆下的SiC功率元件订单，到2025年度的3年间，约有8,400亿日圆，2025年度的1年内应可达到1,000亿日圆以上。如此一来，罗姆就能取得一半市占，达成市占首位的目标。
罗姆为了扩充SiC功率元件产能，旗下的Lapis Semiconductor的宫崎市工厂，已在2021年投产。投资200亿日圆的筑后市工厂的SiC功率元件专用新厂房，将在2022年12月投产，规划将引进6寸8寸晶圆兼用设备，首先将以6寸晶圆的制程来增产SiC功率元件。2024或2025年有可能以8寸晶圆制程量产SiC功率元件。
罗姆旗下除了筑后市工厂、Lapis Semiconductor的宫崎市工厂这2座前段制程厂之外，还有2009年购并的欧洲最大SiC晶圆制造商SiCrystal，以上述生产据点为主，罗姆在2021~2025年度累计将投资1,200亿~1,700亿日圆，使罗姆在SiC的晶圆、磊晶、IC设计与元件制造的整体生产流程更加完善。
罗姆的SiC功率元件产能，到2025年度，估计可达到2021年度产能的6倍以上，到2030年度，更可达到25倍以上。2030年度罗姆是否要增设新厂，以及如何进行等进一步规划，目前也已开始讨论。
但另一方面，功率半导体全球最大厂英飞凌等欧美厂商，也正逐步扩充SiC等新型功率半导体的产能。
英飞凌2022年2月就宣布，为了增强宽能隙功率半导体的前段制程产能，包括SiC与氮化镓(GaN)，将投资20亿欧元(21.5亿美元)，于马来西亚的Kulim工厂兴建第三座厂，2022年6月动工，预计2024年夏引进设备，2024年下半出货，主要用于磊晶与晶圆切割等高附加价值技术。预估新厂启用后，SiC与GaN产品每年将有20亿欧元的销售额。
英飞凌在奥地利的Villach与德国的Dresden已有12寸矽功率元件工厂，在马来西亚的Kulim工厂增设SiC与GaN功率元件新厂，可补足功率元件产品阵容。
2021年的全球功率半导体制造商(包含晶体管、闸流体、整流器、二极管)，营收额第一的厂商是英飞凌，罗姆半导体位居第10名，不过以SiC功率元件来计算，罗姆可排到第4名。
