三星电子(Samsung Electronics)副会长李在镕假释出狱后、拍板注入半导体事业大约1,500亿美元资金，日前又再度夸下海口，号称三星在3纳米工艺的环绕式闸极场效晶体管(GAAFET)架构相关技术已领先主要竞争对手，可望在商转进程上超前台积电。

三星装置解决方案(Device Solution)事业部科技长Jeong Eun-seung声称，将透过3纳米GAA工艺优胜台积电。然而，三星在2017与2019年两度夸言要在EUV与GAA弯道超车台积电未果，那这一次的宣示又有多少可信度。