三星加码英伟达闪存供应，新一代产品加速量产

三星电子与英伟达（NVIDIA）的合作关系正在持续深化。据韩国媒体《首尔经济》援引业界消息人士的说法，凭借强大的生产能力，三星电子正不断增加对英伟达的NAND闪存供应量。除了加大主力产品V9 NAND的供货力度外，三星已经启动了V10 NAND的量产与交付，并正在加快500层V11 NAND的研发进程。双方的合作领域已从动态随机存取存储器（DRAM）、高带宽内存（HBM）和晶圆代工，进一步拓展至NAND闪存供应。

在产品线布局方面，V-NAND作为三星的垂直堆叠NAND闪存系列，主要通过增加存储单元的堆叠层数来提升存储密度和容量。目前，V9是三星向英伟达供货的核心产品，约占总V-NAND产能的60%。随着全球科技企业对人工智能服务器NAND需求的快速增长，上一代V8的生产占比已降至40%以下。与此同时，三星的V-NAND月产能已突破10万片。新一代V10 NAND的堆叠层数达到400层，相比286层的V9，其存储密度提升了50%以上，目前在整体产量中的占比已接近5%。此外，500层的V11 NAND也已进入试生产阶段，计划通过增加试生产规模来收集成品率数据，从而快速构建量产体系。

三星加速扩充V9产能的主要驱动力，来自于英伟达即将推出的新一代存储设备Context Memory Storage（CMX）。据了解，该设备将搭载576块固态硬盘（SSD），总存储容量高达9600TB，预计于2026年下半年上市。韩国业界预测，CMX所需的NAND容量将从2026年的3500万TB大幅增长至2027年的1亿TB以上。鉴于三星2026年的NAND预计总产量约为2.5亿TB，其有望凭借产能优势稳固在英伟达CMX供应链中的核心地位。目前，三星已将V9 NAND的成品率提升至80%以上，实现了稳定的量产。同时，位于韩国平泽的P4工厂NAND专用洁净室仍有一半以上的可用空间，三星将根据市场需求灵活增加V9生产线。

在高层互动方面，三星电子会长李在镕预计将于近期在美国旧金山与英伟达首席执行官黄仁勋举行会晤。双方将围绕扩大合作范围展开深入探讨，议题涵盖HBM、新一代NAND闪存供应以及在韩国建设数据中心等项目。业界人士表示，在CMX正式出货前，英伟达已要求三星进一步提升NAND产能，随着两家企业在存储器和晶圆代工领域的结盟不断加深，此次高层会面有望推动双方合作迈向新高度。