ASML二季度财报超预期，扩产设备应对AI需求

2026年第二季度，阿斯麦（ASML）发布了超出外界预期的财务业绩，并同步提升了全年的运营指引。针对下游客户强烈的设备采购意愿，该公司披露了2027至2028年的产能扩充计划，以此印证人工智能产业的实质性需求。

虽然业界高度关注高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）光刻机在英特尔18A工艺中的应用，但市场同样密切留意低数值孔径（Low NA）EUV与深紫外光（DUV）光刻机的产能提升进度，以评估其能否填补AI浪潮带来的巨大缺口。

在发布第二季度优异业绩之际，ASML再次上调了2026年全年营收预期，预计总额将达到430亿至450亿欧元（约人民币3334.96亿至3490.08亿元），折合491亿至514亿美元（约人民币3328.14亿至3484.04亿元）。从区域营收来看，韩国已连续两个季度稳居ASML最大单一市场地位，今年第二季度贡献了43%的营收份额。与此同时，中国台湾地区市场的营收占比从第一季度的23%显著回升至30%，而中国大陆市场的营收比例则从19%下滑至14%。ASML管理层指出，中国大陆的新增订单主要集中于逻辑芯片的本土化需求，并预计该地区全年营收贡献率将保持在20%左右。

关于未来的扩产细节，据ASML透露，未来两年内EUV设备的产能将保持每年约30%的增长率。公司计划在2026年约65台低数值孔径EUV产能的基础上，于2027年将其提升约30%至85台，并考虑在2028年再增长30%至110台左右。此外，高端浸没式DUV光刻机的产能也将从2026年的130台，分别增至2027年的169台和2028年的220台。据高盛估算，上述规划与出货量目标基本吻合。特别是2028年110台的EUV产能目标远超外界预期，目前2027年的大部分EUV产能已被预订，且2028年的新增订单需求表现强劲。

在人工智能热潮的推动下，逻辑与存储芯片领域双双步入扩产周期。ASML表示，客户正在增加5纳米、4纳米及3纳米工艺的产能，并加速2纳米量产及1.4纳米工艺的研发布局。受此影响，预计2026年先进逻辑芯片业务营收将实现25%的同比增长。在存储芯片方面，DDR5和高带宽存储器（HBM）的供应紧张促使各大厂商加快扩建洁净室的步伐。先进存储工艺对光刻设备的要求不断提高，带动了EUV和DUV设备的需求。ASML预计，2026年存储芯片客户的营收将大幅增长75%，成为公司业绩增长的核心动力。

注：按1欧元≈7.76人民币，1美元≈6.78人民币计算。