韩国2030年DRAM产能翻倍遭美银泼冷水

6月底，韩国方面提出一项总投资额约800万亿韩元（约人民币36448.00亿元），折合5180亿美元（约人民币35111.50亿元）的产业规划。该方案旨在促使三星电子和SK海力士在2030年前将DRAM晶圆产能提升一倍，新建产业集群选址于西南沿海的光州至全罗地区。受此消息影响，全球存储器相关股票出现明显下跌，其中美光科技单周跌幅约15%，铠侠下跌10%，SanDisk市值缩水近20%，引发市场对产能扩张可能导致价格大幅下滑的担忧。

针对上述规划，美银证券Simon Woo团队在6月29日至30日发布的研究报告中指出，名义上的产能翻倍折算成年均复合增长率仅为15%左右。若扣除老旧工厂因技术升级而关闭以及工艺微缩所造成的产能损耗，实际可运行的晶圆产能年增长率不足10%，至2030年难以实现真正的产能翻倍目标。

据供应链消息透露，SK海力士至2028年实际新增产能或许仅为原计划的六分之一。同时，光州与全罗地区现有的产业基础主要为石化和钢铁园区，基础设施建设需从头开始。地基建设大约需要5年，洁净室搭建与设备安装还需3至4年，整个制造生态系统投入运行可能需要10年以上。有产业分析师表示，该规划在现任政府任期结束前难以实质性落地，目前的宣示作用大于实际工程意义。

相比之下，中国DRAM企业的建设进度较快。据Citrini Research最新数据显示，预计到2026年底，中国DRAM晶圆月产能有望达到约35万片，与美光科技同期预估的37.5万片处于同一水平。在建设效率方面，中国DRAM企业单座洁净室的建设周期约为12个月，而全球其他主要DRAM厂商通常需要21至24个月。在技术进展方面，中国DRAM厂商利用DUV多重曝光技术成功实现了G4工艺16Gb DDR5的生产，其传输速率达8000 MT/s，芯片面积较上一代缩小20%，并且24Gb模块与LPDDR5X-10667也已进入量产阶段。

在需求端，人工智能推理应用延缓了存储器周期见顶的预期。据中国台湾半导体企业群联电子CEO潘健成近期表示，云服务提供商已投入数千亿美元建设数据中心，且盈利重心正从模型训练转向推理。由于推理过程需要大量存储空间来保存KV Cache，不仅HBM供应紧张，各类存储器均处于卖方市场。据业内初步估算，2026年先进存储器产能仅能满足人工智能相关需求的60%，未来两年仍将面临供不应求的局面，这在一定程度上缓解了市场对韩国扩产导致产能过剩的担忧。

此外，存储器产能向HBM和人工智能服务器倾斜，导致消费电子领域的产能受到挤占。目前市场普遍认为，下半年智能手机出货量预计将削减约40%，个人电脑与嵌入式设备端同样面临压力。这表明在当前行业周期内，呈现出人工智能领域需求旺盛而消费电子领域需求疲软的结构性分化特征。

注：按1韩元≈0.00456人民币，1美元≈6.7783人民币计算