黄仁勋喊话增产！海力士DRAM产能将翻倍

据韩媒报道，早在英伟达CEO黄仁勋于2026年台北国际电脑展（COMPUTEX 2026）期间，在SK海力士的DRAM晶圆上留下“请生产更多”的签名之前，SK 海力士便已敲定自身产能扩建规划。
知情人士透露，SK海力士已对接核心上下游供应链厂商，计划在2030至2031年，将自身DRAM晶圆总产能扩充至现有产能的两倍。两个月前，SK海力士已陆续向主力配套供应商通报这份扩产预案。
该方案的目标，是将当前每月约55万片的DRAM投产规模，在2030年提升至100万片上下。目前55万片月产能中，包含无锡工厂约20万片的产量，而新一轮的产能扩张将主要集中在韩国龙仁半导体园区。
SK海力士规划将龙仁一号晶圆厂区拆分建设6间洁净车间。首间洁净车间预计2027年2月启动生产设备进场安装，调试完工后可新增6万片月度产能；后续企业以半年为周期，依次完成剩余洁净车间的设备导入，单座车间同样对应6万片月产能增量。若建设进度按计划落地，2030年上半年仅龙仁一号厂区，就能实现DRAM月产能新增 36 万片。
与此同时，清州M15X工厂的扩建工作也在同步进行。该工厂计划于2026年下半年投入运营，初期月产能为4万片，并将在2027年提升至约8万片。综合龙仁工厂与M15X工厂的产能规划，SK海力士的DRAM晶圆月投产能力有望在2030年至2031年前后达到100万片左右的水平。
SK 海力士早在2026年2月对外发布龙仁投资方案时就说明，一号晶圆厂包含两大建筑组团、6座洁净车间，且把首批设备进场节点从原定2027年5月提前至当年2月。但各洁净车间的产品定位、产能体量与分步投产节奏，本次才首度对外披露。按照规划，本次全部新增产能均用于DRAM芯片生产；而在闪存（NAND Flash）业务上，网传企业将依靠提升存储堆叠层数等工艺优化路线实现产能迭代。
半导体设备行业人士指出，供应链企业必须提前做好应对准备。不过，由于该扩产计划相对激进，部分供应商对其实际落地情况仍保持谨慎观望。有业内人士回顾，2022年SK海力士曾向供应商发布2023年的资本开支指引，但随后在当年秋季大幅削减订单，致使部分提前采购零部件的供应商现金流受到严重冲击。此外，每半年填满一个洁净室的时间表非常紧凑，任何一款设备的延迟进场都可能打乱整体部署。
有供应商代表谨慎表示，短期内确定的投资增长对设备和材料行业而言是一项利好，但整个扩产计划的顺利实施离不开市场需求的有力支撑。业内也有观点认为，此次扩产战略由SK集团会长亲自部署，其重要程度和战略意义与以往的项目不可同日而语。

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