思特威布局高速光互连技术，计划2027年实现商用

随着人工智能服务器和大型语言模型的迅猛发展，数据中心的算力需求急剧攀升，高速互连技术随之成为新一代AI基础设施的核心竞争领域。当前，GPU集群规模不断扩大，高带宽内存（HBM）与高速交换机正向着1.6T乃至3.2T的更高规格迈进。传统铜互连在信号衰减、串扰以及功耗方面遭遇物理瓶颈，促使光互连技术从数据中心骨干网向机柜内部甚至芯片间互连延伸。包括英伟达、博通、Marvell、Coherent及Ayar Labs等国际企业均在积极研发共封装光学（CPO）、硅光子及光引擎等技术，以期降低整体功耗并提升传输效率。

在硅光子、CPO及垂直腔面发射激光器（VCSEL）等技术持续演进的背景下，长期深耕CMOS图像传感器（CIS）的思特威宣布进军高速光互连领域。据思特威高速光互连业务联席总经理王文轩透露，公司计划于2027年推动Micro LED高速光互连方案的商业化应用。在2026年慕尼黑上海电子展上，思特威首次展出了Micro LED高速光互连原型方案。据悉，该方案采用Micro LED作为光源，主要针对AI服务器内部、芯片间及板间50米以内的短距离高速传输场景，旨在缓解高速电互连引发的功耗与信号衰减问题。现场数据显示，其单通道传输速率已超过3Gbps，典型功耗约为0.8pJ/bit，并通过提升光电转换效率来优化AI设备长期运行的能耗表现。

据市场人士分析，思特威从CIS向光互连领域的拓展具备一定的技术基础。CMOS图像传感器本身涉及光电转换、微光学设计、高速信号处理及异构集成等技术，这与Micro LED光互连在光源驱动、接收芯片及封装集成等方面存在技术共通性。此外，思特威在国内建立了完善的CIS供应链体系，与本土晶圆代工、封装测试及材料供应商保持着长期合作。业内人士指出，若Micro LED光互连产品能够复用现有的芯片设计、晶圆制造与封装资源，将有效缩短产品的验证与量产导入周期。

业界普遍认为，未来的高速光互连市场将由多种技术共同主导，并根据应用场景进行细分。硅光子和CPO依然是数据中心与交换机高速传输的主流选择；而Micro LED凭借耐高温、高集成度和低功耗等优势，成为芯片间及板级短距离互连的潜在方案。除思特威外，国内三安光电、新相微、万亿驰股份及隆利科技等企业也在积极布局该技术。然而，高速光互连是一项跨领域的系统工程，涉及光引擎、驱动与接收芯片、光学元件等多个关键环节。相较于生态逐渐成熟的硅光子与CPO，Micro LED高速光互连目前仍处于技术验证阶段。未来，量产良率、成本控制、封装工艺及行业标准的建立，将是决定其市场导入速度的核心要素。