全球存储产能吃紧，国内大厂对后市看法出现分歧

当前全球存储行业普遍预期人工智能将推动供需关系持续紧张，但国内部分存储芯片企业对未来发展提出了不同见解。据兆易创新日前发布的风险提示，存储行业具备显著的周期性特征，现阶段价格的快速攀升并非长期常态。随着市场供需逐步恢复平衡，其核心产品面临价格下调的潜在风险。据悉，该企业的主力产品涵盖NOR Flash、SLC NAND以及部分利基型DRAM，终端应用广泛分布于工业控制、汽车电子、网络通信和消费电子等领域。

针对产能瓶颈，北京君正指出，当前全球DRAM代工产能依然处于高度紧张状态，短期内供需格局难以发生根本性转变。尽管企业在2025年已提前增加上游库存储备，且现有生产线保持运转，足以满足未来两年的交付需求，但行业整体产能的真正缓解预计最快要等到2027年下半年。此外，在前瞻性技术布局上，该企业正稳步推进3D DRAM的研发进程，目前主要集中于存储芯片的设计环节，后续将视研发进展逐步完善产品矩阵。对于2027年传统DRAM的市场走向，企业认为仍需依据届时的实际供需关系来判定。

在产品价格与盈利能力方面，受上游已知良好裸片（KGD）成本攀升及半导体供应链整体产能受限的叠加影响，北京君正预计2026年上半年计算类芯片、DRAM、NOR Flash及SRAM等产品价格将保持上涨趋势，从而支撑整体毛利率处于较高水平。由于部分芯片采用双DRAM堆叠封装技术，上游物料短缺推高了制造成本，企业已相应上调产品售价。数据显示，2026年第一季度其芯片毛利率逼近52%，第二季度有望延续这一良好态势，而下半年的定价策略将根据成本波动与市场供需进行动态调整。具体到DRAM业务，国内客户在第一季度已接受调价，海外客户于第二季度陆续跟进，推动该业务营收与利润双增。第三季度产品仍有涨价空间，第四季度在供给偏紧的背景下亦存在进一步提价的可能。

从工艺节点来看，北京君正基于20纳米、18纳米及16纳米工艺的DDR4与LPDDR4产品已实现稳定量产，并在2026年第一季度贡献了超过40%的DRAM总营收。企业同时强调，工业级存储产品的价格调整频率通常低于消费级产品。除DRAM外，其他存储产品线也迎来增长契机。部分客户采用SRAM替代DRAM的方案，促使第二季度SRAM价格微涨；NOR Flash则已连续两个季度提价，尽管涨幅不及DRAM，但供应依然紧俏。2026年第一季度NOR Flash营收的大幅增长主要得益于出货量的提升，第三季度将针对不同产品和客户实施差异化定价。在上游代工成本方面，尽管各代工厂涨价幅度存在差异，但企业通过向下游传导部分成本，有效保障了毛利率的稳定。