三星重启1.4纳米工艺计划，拉拢设备厂提前研发

据韩媒The Bell引述业界消息，三星电子近期重启了1.4纳米工艺（SF1.4）的商业化项目。该公司已向应用材料和泛林半导体等核心设备供应商通报了相关规划，并要求其提前启动配套设备的研发工作。

这些新一代设备预计将部署于三星在韩国器兴园区设立的先进复合半导体研发中心（NRD-K）。该中心已于2024年底投入使用，并配备了ASML的新一代高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。从1.4纳米工艺节点开始，该光刻机将应用于部分工艺层。

此前，三星曾将1.4纳米工艺的量产时间从2027年推迟至2029年，以便将资源集中于2纳米（SF2）及其衍生工艺（SF2P）的良率提升与优化。目前，其2纳米工艺良率已趋于稳定，并获得了特斯拉下一代人工智能芯片的代工订单，从而为下一代工艺的研发腾出了空间。

由于先进工艺的研发难度不断攀升，设备制造商需要更长的周期来满足客户的规格要求，因此韩国本土设备企业也在密切关注三星的动向。在竞争方面，英特尔正推进2027年量产1.4纳米工艺的目标，而台积电则将商业化时间节点设定在2028年。