罗姆发布600V超结MOSFET，主打低损耗设计

据ROHM（罗姆半导体）透露，随着数据中心与工业设备处理负荷的持续加重，整体电力需求正不断上升。为了有效控制功耗与发热，市场对电源转换效率提出了更高要求。同时，在设备小型化趋势下，有限的内部空间需要实现更高的输出功率，这促使电源电路必须进一步提升功率密度。在此背景下，具备优异散热性能的表面贴装型超结MOSFET成为行业关注的焦点。此外，出于供应链安全与多源设计的考量，新器件与现有通用产品的兼容性也成为重要的评估指标。

为满足上述市场需求，罗姆半导体于6月16日正式宣布，推出两款600V耐压超结MOSFET新产品，分别为“R60xxXNx系列”与“R60xxWNx系列”。据悉，这批新器件预计将于2026年6月陆续投入量产。

在封装设计上，此次发布的新品引入了DFN8080-5L（8.0×8.0×0.85mm）和TOLL（11.68×9.9×2.3mm）两款表面贴装型封装。这类封装不仅有助于节省电路板空间，还能显著提升功率密度，十分契合AI服务器及工业电源等应用场景。在电气性能方面，新器件的栅极阈值电压被设定在业界主流的3V至5V范围内，从而适配更宽泛的驱动条件。同时，通过优化跨导特性，新产品在通用性与降低损耗方面均优于前代系列。

据ROHM介绍，此次上新的产品矩阵包含21款主打高速开关的“R60xxXNx系列”，以及11款具备超高速反向恢复能力的PrestoMOS™型“R60xxWNx系列”。早在2022年，该企业便已量产内置高速恢复二极管的“R60xxVNx系列”及高速开关型“R60xxYNx系列”。最新研发的这两大系列不仅延续了前代产品低损耗与高可靠性的优势，还凭借出色的表面贴装散热设计及高度的引脚兼容性，为客户在电源系统设计中提供了更大的灵活性，用户可根据具体应用侧重兼容性或低损耗来进行灵活选型。