日本JX金属砸50亿元扩产光通信半导体材料

据日经新闻报道，日本JX金属公司正筹划大幅提升光通信半导体材料磷化铟（InP）晶圆的制造能力，最高扩产幅度有望达到十倍。

在投资规划方面，该企业计划于2030财年（2030年4月至2031年3月）内，向其位于日本茨城县的两个生产基地总共注资1200亿日元（约合50.70亿元人民币），折合约7.5亿美元（约合50.79亿元人民币）。相关资金不仅会用于升级既有设施，还将用于建造全新厂房。此举创下了该公司在半导体材料板块历史上最大规模的单笔投资纪录。待项目落地后，其整体产能将攀升至2025财年规模的7到10倍。

从行业背景来看，人工智能技术的全面铺开导致数据中心能耗急剧攀升，而光通信技术凭借降低电力消耗的特性受到市场的广泛关注。作为早在上世纪80年代就涉足磷化铟晶圆制造的老牌厂商，JX金属基于该领域的长远发展潜力进行布局。仅在2025财年（2025年4月至2026年3月），该企业便已三次宣布增产计划，累计投入约250亿日元（约合10.56亿元人民币）。

通过此次大手笔的产能扩充，JX金属旨在精准对接美国科技巨头等核心客户日益增长的市场需求。

注：按1日元≈0.0423元人民币、1美元≈6.7719元人民币计算。