英飞凌发布新款驱动芯片，兼容硅与氮化镓器件

据报道，英飞凌科技股份公司近期发布了一款型号为EiceDRIVER 2EDL90xG3的新型驱动芯片。该器件支持120V电压，并能同时适配硅（Si）与氮化镓（GaN）元件。

在人工智能数据中心不断提升功率密度的趋势下，电源设计人员亟需在不改变印制电路板（PCB）的前提下，灵活对比硅与氮化镓方案。这款新芯片恰好契合了高压与中压中间总线变换器的设计需求。其内部集成的5V栅极钳位功能，大幅简化了氮化镓栅极驱动电源的开发流程，使得硅与氮化镓器件能够共用同一块电路板。

图为兼容硅与氮化镓元件的英飞凌EiceDRIVER 2EDL90xG3驱动芯片。

在技术规格方面，该芯片具备五种可配置工作模式，适配多种电源拓扑结构。结合双浮地输出与5V栅极钳位，它能够满足混合开关电容拓扑的应用。在驱动能力上，其拉电流和灌电流分别达到4A和6A，为高压中间总线次级侧的驱动提供了充足的灵活性。

此外，芯片内置的电流采样放大器带宽达5MHz，共模电压抗干扰能力达35V，不仅精简了物料清单（BOM），还提高了整体功率密度。该放大器在满量程时精度可达1%，有助于实现精准控制与快速短路保护。内置的自举二极管也进一步节省了半桥和全桥应用中的电路板空间。封装方面，该产品采用了紧凑的QFN 3x3 16引脚设计。

此款驱动芯片专为人工智能服务器供电系统进行了优化。英飞凌的供电产品线覆盖了从电网到核心的完整链路，包含固态变压器、固态断路器、电源、电池备份单元及直流转换模块等。通过整合硅、碳化硅与氮化镓的技术优势，该公司为市场提供了端到端电源架构方案，并配套了相关设计资源与定制化元器件。