安森美发布GaNEXUS™氮化镓功率产品组合

现已提供样品，为AI数据中心、机器人及能源基础设施应用带来更高功率密度与能效

摘要

安森美（onsemi）宣布推出全新GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为在人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用中实现更高能效、更高功率密度及更优热性能而设计。首批产品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET样品，其中包含集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并提升整体可靠性。

新闻亮点

• 安森美的GaNEXUS产品组合为下一代电源架构带来更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能
• 覆盖40V至650V的GaNEXUS FET及集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，现已开始提供样品
• 结合安森美集成感知、控制、保护和电源管理功能的Treo平台，GaNEXUS可实现更智能、更可靠、更稳健的系统级电源解决方案
• 结合安森美的硅、EliteSiC与GaNEXUS技术，为客户优化整个电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总成本提供更大灵活性

安森美推出GaNEXUS™氮化镓功率产品组合，首批样品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件。该产品组合适用于对电力需求高的应用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器人与工业自动化，以及能源基础设施等。

GaNEXUS的加入扩展了安森美智能电源产品组合的能力，能够为不同应用、电压域和性能要求提供优化的电源解决方案。GaNEXUS、硅和EliteSiC技术构成了安森美广泛的电源产品组合，为客户在整个电力传输架构中优化性能、能效、热性能及系统总成本提供更大灵活性。

重要意义

随着AI基础设施、电气化、工业自动化及能源系统的快速发展，对更高能效和更紧凑电源架构的需求持续增长，设计人员在能耗、热管理及系统尺寸方面面临日益严峻的挑战。

与传统硅基方案相比，GaNEXUS通过实现更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，有效应对上述挑战。这些优势帮助客户能够在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器人及工业电源系统等应用设计中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同时提升整体系统能效与响应速度，并降低系统成本。

安森美氮化镓事业部副总裁Antoine Jalabert表示：“我们的GaNEXUS产品组合正在推动电源系统设计迈向全新架构。随着客户不断追求在更小空间内实现更大功率，GaNEXUS为工程师提供了更大的灵活性，以突破传统电源架构的限制。”

技术实现

GaNEXUS旨在优化现代电源系统中的电能转换与电源管理。将GaNEXUS与安森美的Treo平台（集成感知、控制、保护及电源管理）配合使用时，可提供完整的系统级电源解决方案，实现更智能、更可靠、更稳健的系统表现。这种系统级方案有助于客户简化整个电力传输链的设计复杂性，加速开发与认证速度，降低散热与冷却需求，并优化性能。

在包括AI服务器48V中间母线转换器（IBC）、电池备用单元（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可实现：

• 磁性元件尺寸缩小约30%–60%
• 功率密度提升约1.5–2倍
• 能效提升约0.5%–2%（取决于拓扑结构）
• 降低开关损耗，改善热性能与控制稳定性

在AI电源机架、高压DC-DC转换、PFC及LLC功率级等高压应用中，GaNEXUS可实现：

• 在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60%
• 在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度提升约1.5–2倍
• 能效提升约0.5%–1%，在规模化部署时显著优化热性能并改善运营成本
• 更低损耗可减轻紧凑型高功率系统中的热应力
• GaNEXUS Smart降低系统风险，简化功率级设计，从而加快认证速度并提升可靠性

GaNEXUS器件采用增强散热的封装，具备行业标准的引脚布局，支持双源供货，例如TOLL底部散热、TOLT顶部散热，以及3.3mm×3.3mm和5mm×6mm的双面散热封装。

更多信息

• 安森美GaNEXUS
• 安森美Treo平台