铠侠第十代3D闪存跳票，量产推迟至2027年

据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠已将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存的量产时间延后至2027年，比之前公布的2026年计划晚了一年。关于该项目的相关投资详情，预计要到2026年下半年才会更加清晰。

从企业战略规划来看，铠侠已将BiCS10的量产工作视为2026财年（即2026年4月至2027年3月）的重点项目。公司的资本支出将主要向第十代及第八代NAND闪存的研发和生产线建设倾斜。

在技术指标方面，BiCS10采用了332层存储单元堆叠设计。与现有的218层BiCS8相比，其层数增加了大约52%，位密度也大幅提高了59%。该芯片配备了Toggle DDR 6.0接口，使得I/O传输速度由3.6Gbps提高到了4.8Gbps，提升幅度为33%。此外，其能耗表现得到明显改善，输入和输出功耗分别下降了10%和34%。在常规TLC模式下，单颗芯片的存储容量能够达到2Tb，能够满足数据中心、人工智能服务器以及高端终端设备对高密度和低功耗的要求。

在底层架构上，BiCS10继续使用了CBA（CMOS直接键合阵列）工艺，这也是BiCS8世代的核心设计方案。该工艺将存储阵列与逻辑电路分别在不同的晶圆上进行制造，随后再进行键合。这种方式不需要复杂的PLC架构，就能在可靠性与存储密度之间取得平衡，同时兼顾了生产成本与良品率。铠侠此前已经在ISSCC 2025会议上披露了相关技术细节，证实了该方案在332层堆叠结构中的稳定性。