三星停产2D NAND,华邦电子成大赢家
来源:李智衍发布时间:2026-05-121407浏览
询问 AI据《朝鲜日报》等多家韩国媒体报道,三星电子自今年3月起逐步关停位于韩国华城校区12号产线的2D NAND生产,并将该产线改造为1c DRAM(第6代10纳米级DRAM)的后端工厂。这条月产能达8万至10万片晶圆的生产线,是三星最后一座2D NAND生产基地。由于利润微薄,三星已通知客户将于2026年6月完成最后出货后全面停止供应。
日本铠侠(Kioxia)也紧随其后,于今年3月通知客户逐步退出2D NAND市场。根据通知,客户最后下单截止日为2026年9月30日,最终出货将延续至2028年12月31日,2029年起全面撤出。此次停产范围广泛,涵盖32纳米、24纳米、15纳米制程的SLC、MLC、TLC全类型产品,以及裸晶圆、BGA、TSOP封装乃至eMMC、UFS、SD卡等全形态产品,属于整条旧世代技术平台的全面退役。
美光同样在收缩MLC NAND生产,目前仅按现有客户需求维持供应。此外,美光已正式终止旗下消费品牌“Crucial”业务,将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需的先进存储器。
市场调研机构TrendForce预测,2026年全球MLC NAND产能将比前一年骤降41.7%。供需失衡已直接引发价格暴涨,部分SLC和MLC产品单月涨幅达两位数。据Digitimes今年3月报道,MLC NAND今年一季度价格翻倍上涨,第二季度价格预计将再翻两倍。自2025年起至今,部分产品价格涨幅接近10倍,“恐慌性囤货”已达到顶峰。
2D NAND市场留下的巨大缺口,正在向仍坚守这一领域的厂商转移。据中国台湾《经济日报》报道,华邦电子长期专注浮栅式架构SLC NAND利基市场,产品覆盖1Gb至8Gb容量,擅长车用电子、工业控制等高耐用度与高温稳定性场景,被业界视为承接铠侠退出后转单最多的赢家。旺宏电子同样具备19纳米2D NAND制程能力,产品覆盖2Gb至32Gb,亦将同步受益。
此外,大陆的兆易创新、东芯股份、普冉股份等也将从中受益。兆易创新同时布局SLC/MLC NAND,东芯股份专注于中小容量SLC/MLC NAND,普冉股份则主打中小容量SPI SLC NAND。
一位半导体行业人士对此评论称:“资源向高附加值AI存储器的集中,正在瓦解支撑实体经济的传统存储市场。家电和汽车制造商的成本压力及供应链风险,至少将持续到明年。”
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