三星携手英伟达拓展NAND合作，发力AI存储

根据韩国媒体《首尔经济日报》7月20日的报道，三星电子正进一步深化同英伟达在NAND闪存业务上的协同。在此之前，两家企业已在动态随机存取存储器（DRAM）、高带宽内存（HBM）以及晶圆代工等多个维度建立了合作关系，如今将合作范围拓展至NAND产品线，不断延伸存储芯片的供应链合作版图。

此次业务拓展的核心目的在于满足英伟达人工智能服务器对配套存储的需要，并为其上下文内存存储（CMX）硬件提供支持。由于CMX主要负责处理人工智能推理过程中生成的海量KV缓存数据，业内分析机构预测，此类设备的普及将促使企业级NAND闪存的市场需求保持上升态势。

从公开的技术资料来看，V-NAND作为三星旗下的垂直堆叠型闪存，主要依靠增加存储单元的堆叠层数来实现容量密度的提升。目前主打的第九代（V9）和第十代（V10）产品主要服务于数据中心固态硬盘（SSD）市场，其功耗控制与读写速度能够很好地适应人工智能算力集群长期高负荷运转的环境。而正在研发中的第十一代（V11）产品则计划实现500层堆叠，旨在满足未来算力基础设施在存储方面的升级需要。

在产能与产品进度方面，三星的第十代V-NAND（V10）已正式投入量产，并开始向英伟达交付。与此同时，该企业不仅在提升第九代V-NAND（V9）的生产规模，还在同步开展500层级别的第十一代V-NAND（V11）技术攻关。就整体产能而言，三星目前V-NAND的月产量已突破10万片晶圆，其中约六成的产能被分配给了V9产品。